321. Интегральная микросхема, имеющая N элементов, имеет степень интеграции • lg N 322. Недостатком дифференциального усилителя является: • низкое входное сопротивление 323. Дешифратор с n входами […]
326. Плёночная схема: • интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика 327. Преимуществами микросхем ТТЛШ по сравнению с микросхемами ТТЛ […]
331. Если к сети синусоидального тока с напряжением U = 200 В на некоторое время подключить идеальный конденсатор емкостью С, то напряжение конденсатора после отключения его […]
336. ОС, охватывающую весь усилитель, называют: • общей 337. Транзисторному переключателю свойственны погрешности, из перечисленного: • наклона• сдвига 338. Постоянная времени: • время, в течение которого […]
341. Ферромагнитные вещества: • вещества, имеющие магнитную проницаемость намного больше единицы 342. Режим работы усилителя, при котором ток в выходной цепи протекает в течение промежутка времени, […]
351. Причинами поверхностных утечек в области p-n-перехода являются, из перечисленного: • молекулярные и ионные пленки• поверхностные энергетические уровни 352. В некотором произвольном магнитном поле взят произвольный […]