Механизм роста пленок оксида цинка в условиях «горячего» магнетронного распыления керамической мишени

Вид работы: | Предмет работы: | Количество листов: 57

Целью данной работы является экспериментальное исследование процессов формирования пленки ZnO, осаждаемых на монокристаллических подложках сапфира базисной ориентации. Объектом исследования является современное направление исследований в МРС – распыление «горячих» мишеней, а предметом – исследование процессов формирования (установление механизма роста) пленки ZnO, при «горячем» распылении мишени оксида цинка.

ВВЕДЕНИЕ …
ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР…
1.1. Общая характеристика оксида цинка .
1.2. Получение ориентированных и эпитаксиальных пленок ZnO методом магнетронного распыления. ……
1.3. Основные механизмы роста тонких пленок из газовой фазы…
1.4. Эмиссия микрочастиц при распылении и их влияние на ростовые процессы формирования пленок. Постановка задачи………
ГЛАВА II. ТЕХНИКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА…………
2.1. Физика магнетронного распыления…………
2.2. Описание установки магнетронного распыления……
2.3. Методика подготовки подложек и изготовления мишеней ZnO….
ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА В УСЛОВИЯХ СИЛЬНОТОЧНОГО МАГНЕТРОННОГО РАЗРЯДА…….
3.1. Особенности и техника эксперимента при больших токах магнетронного разряда.
3.2. Механизм роста эпитаксиальных пленок ZnO на сапфире при высоких скоростях роста.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА…

ПОМОЩЬ С НАУЧНОЙ РАБОТОЙ

Подготовим для Вас работу по стандартам Вузов

Готовая работа с высокой уникальностью по минимальной цене

Срок выполнения от 2 часов

Антиплагиат более 70%

Быстрый заказ работы