1 Литературный обзор.
1.1 Метод наноиндентирования.
1.2 Метод согласованного замещения атомов.
1.3 Хлорид-гидридная эпитаксия AlN, GaN и β-Ga2O3 на гибридных подложках SiC/Si
2 Наноиндентирование гибридных подложек SiC/Si, синтезированных методом атомного замещения.
2.1 Механические характеристики монокристалла SiC со стороны Si- и C-граней.
2.2 НИ монокристаллических подложек Si
2.3 Наноиндентирование гибридных структур SiC на Si с ориентацией (001)
2.4 Наноиндентирование гибридных структур SiC на Si с ориентацией (011)
2.5 Наноиндентирование гибридных структур SiC на Si с ориентацией (111)
2.6 Исследования упругих свойств гибридных структур SiC/Si(001) и SiC/Si(111)
Заключение
3 Наноиндентирование пленок AlN и GaN, сформированных на гибридных подложках SiC/Si, синтезированных методом атомного замещения.
3.1 НИ пленки AlN выращенной методом HVPE на гибридных подложках SiC/Si
3.2 НИ пленки GaN, выращенной методом HVPE на гибридных подложках SiC/Si
3.3 НИ гетероструктуры GaN/AlN, выращенной на гибридной подложке SiC/Si
3.4 Послойная склерометрия гибридной структуры AlN/SiC/Si 103
Выводы по главе 3.
4 Наноиндентирование пленок β-Ga2O3, сформированных на гибридных подложках SiC/Si.
4.1 НИ пленок β-Ga2O3 сформированных методом HVPE на подложках Al2O3
4.2 Исследования структурных характеристик гетероструктур β-Ga2O3/SiC/Si
4.3 Наноиндентирование пленок β-Ga2O3, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
4.4 Квантово-химическое моделирование упругопластических свойств β-Ga2O3
Заключение