В случае краевой дислокации этот вектор перпендикулярен дислокационной оси, а винтовой – параллелен. Величина вектора Бюргерса не зависит от типа дислокации. Дилокации не могут обрываться внутри кристалла, а могут лишь выходить на его поверхность и на границы зерен. Внутри кристалла дислокации образуют либо замкнутые петли, либо разветвляются на другие дислокации. Взаимодействие между упругими полями дислокаций одного знака приводит к взаимному отталкиванию. Дислокации с противоположными векторами Бюргерса притягиваются друг к другу. Противодействие внешних и внутренних напряжений в кристаллах заставляет дислокации перемещаться, и нередко беспорядочно расположенные дислокации перегруппировываются в правильные шеренги (ряды или стенки). Перемещения дислокаций с образованием полосчатой тонкой структуры, снижающей качество кристалла, называется полигонизацией [1].
Оглавление
ВВЕДЕНИЕ 3
1. ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ 4
2. КЛАССИФИКАЦИЯ ДЕФЕКТОВ 6
2.1.Точечные дефекты 6
2.3 Поверхностные дефекты 14
2.3.1. Двойниковые границы. 15
2.3.2.Линии слоев роста. Комбинационная штриховка 16
2.3.3.Вицинали 19
2.4 Объемные (трехмерные) дефекты. 20
3.ВЫЯВЛЕНИЕ ДЕФЕКТОВ 21
3.1 Физико — химические основы травления 21
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 23
ЛИТЕРАТУРА 25